Effect of Electric and Magnetic Fields on the Energy levels of a Hydrogenic Impurity in GaAs/Ga1-xA1xAs Heterojunctions

Journal Title, Volume, Page:

Qatar Univ.Science Journal 01/1997; 17(2):225-230.

Year of Publication:

1997

Authors:

Khaled Ilawi

Department of Science Teacher's Collage of Education Ministry of Higher Education- Oman

Current Affiliation:

Associate Prof., Department of Physics, An-Najah National University ·

[email protected]

M.I. Elkawni

Department of Science , Quds Open University

Preferred Abstract (Original):

Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.

استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحههاب حالات شغل الشوائب لعينات من نرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربافي المؤفى على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .

An-Najah Staff

Author Information

Effect of Electric and Magnetic Fields on the Energy levels of a Hydrogenic Impurity in GaAs/Ga1-xA1xAs Heterojunctions